#1 |
数量:97 |
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最小起订量:25 英国伦敦 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:24184 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:24184 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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规格书 |
MJL21193, 94 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 25 |
晶体管类型 | PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 16A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 250V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 4V @ 3.2A, 16A |
电流 - 集电极截止(最大) | 100µA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 25 @ 8A, 5V |
功率 - 最大 | 200W |
频率转换 | 4MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-264-3, TO-264AA |
供应商器件封装 | TO-264 |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-264 |
类型 | PNP |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 250 V |
集电极最大直流电流 | 16 A |
最小直流电流增益 | 25@8A@5V |
最大工作频率 | 4(Min) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 1.4@0.8A@8A|4@3.2A@16A V |
最大集电极基极电压 | 400 V |
工作温度 | -65 to 150 °C |
最大功率耗散 | 200000 mW |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
集电极最大直流电流 | 16 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
最低工作温度 | -65 |
最大功率耗散 | 200000 |
最大基地发射极电压 | 5 |
Maximum Transition Frequency | 4(Min) |
封装 | Rail |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 400 |
供应商封装形式 | TO-264 |
最大集电极发射极电压 | 250 |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 16A |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 4MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 4V @ 3.2A, 16A |
电流 - 集电极截止(最大) | 100µA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 250V |
供应商设备封装 | TO-264 |
功率 - 最大 | 200W |
封装/外壳 | TO-264-3, TO-264AA |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 25 @ 8A, 5V |
其他名称 | MJL21193GOS |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 25 |
集电极 - 发射极饱和电压 | 1.4 V |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 | PNP |
发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
直流集电极/增益hfe最小值 | 25 |
增益带宽产品fT | 4 MHz |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 250 V |
安装风格 | Through Hole |
集电极 - 基极电压VCBO | 400 V |
最低工作温度 | - 65 C |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 16 A |
集电极电流( DC)(最大值) | 16 A |
集电极 - 基极电压 | 400 V |
集电极 - 发射极电压 | 250 V |
发射极 - 基极电压 | 5 V |
频率(最大) | 4 MHz |
功率耗散 | 200 W |
工作温度范围 | -65C to 150C |
包装类型 | TO-264 |
元件数 | 1 |
直流电流增益(最小值) | 25 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
频率 | 4 MHz |
集电极电流(DC ) | 16 A |
直流电流增益 | 25 |
Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :250V |
Transition Frequency ft | :4MHz |
功耗 | :200W |
DC Collector Current | :16A |
DC Current Gain hFE | :75 |
Operating Temperature Min | :-65°C |
Operating Temperature Max | :150°C |
Transistor Case Style | :TO-264 |
No. of Pins | :3 |
MSL | :- |
SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
Collector Emitter Voltage Vces | :-1.4V |
Current Ic hFE | :8A |
Device Marking | :MJL21193 |
Full Power Rating Temperature | :25°C |
Gain Bandwidth ft Typ | :4MHz |
Hfe Min | :25 |
No. of Transistors | :1 |
工作温度范围 | :-65°C to +150°C |
Pulsed Current Icm | :30A |
Voltage Vcbo | :400V |
Weight (kg) | 0.00001 |
Tariff No. | 85412900 |
Current,Collector | 16A |
Current,Gain | 8 |
PackageType | TO-3PBL(TO-264) |
极性 | PNP |
PowerDissipation | 200W |
PrimaryType | Si |
Resistance,Thermal,JunctiontoCase | 0.7°C/W |
Voltage,Breakdown,CollectortoEmitter | 250V |
Voltage,CollectortoBase | 400V |
Voltage,CollectortoEmitter | 250V |
Voltage,CollectortoEmitter,Saturation | 4V |
Voltage,EmittertoBase | 5V |
案例 | TO264 |
Transistor type | PNP |
功率 | 200W |
极化 | bipolar |
Multiplicity | 1 |
Collector-emitter voltage | 250V |
Gross weight | 0.01 kg |
Collector current | 16A |
Collective package [pcs] | 50 |
spg | 50 |
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